YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (UYU) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -14 .5A PMPAK-3x3 3.000En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 P-Channel 1 Channel 30 V 14.6 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 3.12 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 0.2A SOT-723 9.990En existencias
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: 10.000

Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 200 mA 1.2 Ohms - 8 V, 8 V 1 V 700 pC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-251 6.487En existencias
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 100 V 48.5 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 1.13 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 300 A TOLL 1.870En existencias
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: 2.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 347 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 190 nC - 55 C + 175 C 3.75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P 2.997En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 2 Channel 30 V 27 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 19 nC - 55 C + 150 C 2.27 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 300A TOLL 1.994En existencias
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: 2.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 400 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 265 nC - 55 C + 175 C 3.75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 100V/-1 2.958En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel, P-Channel 1 Channel 100 V 2.5 A 150 mOhms, 160 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 11 nC, 32 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X 2.995En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 100 V 142 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 84 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 130 A TO-220 1.758En existencias
2.958En pedido
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 132 A 3.88 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 85 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 44A TO-220CFM-T 967En existencias
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Si Through Hole TO-220CFM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 44 A 8.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 1.92 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 7.5 A PMPAK-3x3 3.000En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 100 V 7.5 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 14 nC - 55 C + 150 C 3.125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 8.1 A TO-252 2.925En existencias
Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT TO-252-3/2 N-Channel 1 Channel 100 V 8.1 A 135 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 3A SOT-223 2.760En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 3 A 135 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 2.78 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 6.3 A PMPAK-5x6 2.985En existencias
Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 150 V 15.8 A 59 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 16 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 5A PMPAK-3x3 3.000En existencias
Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 150 V 15.8 A 59 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 16 nC - 55 C + 150 C 3.12 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 6.4A SOT-23 2.811En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 6.4 A 22 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 22 nC - 55 C + 150 C 1.38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -20V -5A SOT-23 2.890En existencias
Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5 A 38 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 1.38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30 2.990En existencias
Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 5.5 A, 7.8 A 20 mOhms, 45 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 5 nC, 5.8 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30 1.564En existencias
Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 12 A 10.4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 3.57 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 10A PMPAK-3x3 3.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 30 V 10 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5.3 nC - 55 C + 150 C 3.12 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6 2.970En existencias
Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 30 V 245 A 1.05 mOhms - 20 V, 20 V 900 mV 75 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 32.8 A PMPAK-5x6 2.976En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 30 V 103 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 63.5 A PMPAK-5x6 3.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 30 V 25 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 40 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 63.5 A PMPAK-3x3 2.980En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 30 V 20 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 40 nC - 55 C + 150 C 3.12 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 62A TO-252 2.372En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TO-252-3/2 N-Channel 1 Channel 30 V 62 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel