GaN FETs Transistor,GaN,5W,DC-6GHz,2.16mm,Pill
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GaN FETs Transistor, DC-4GHz, 120W, G28V5
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GaN FETs Die, DC - 8 GHz, 5W, G28V5-1C
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GaN FETs Die, DC - 8 GHz, 15W, G28V5-1C
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GaN FETs Die, DC - 8 GHz, 15W, G28V5-1C
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GaN FETs Die, DC - 6 GHz, 30W, G28V5-1C
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GaN FETs Die, DC - 6 GHz, 30W, G28V5-1C
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GaN FETs Die, DC - 6 GHz, 45W, G28V5-1C
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GaN FETs Die, DC - 6 GHz, 45W, G28V5-1C
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GaN FETs Die, DC - 4 GHz, 60W, G28V5-1C
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GaN FETs Die, DC - 4 GHz, 60W, G28V5-1C
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Atenuadores Attenuator,2-18 GHz,6-bit,3mm-20LD,1k
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Atenuadores Attenuator,2-18 GHz,6-bit,3mm-20LD,1k
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Amplificador de RF Power Amp., .001-27 GHz,. 25W,5x5mm AQFN
MAAP-011324-TR0500
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Amplificador de RF Power Amp., .001-27 GHz,. 25W,5x5mm AQFN
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Acondicionamiento de señales Balun, 1:2, 2-20GHz, 3mm PQFN
MABA-011125
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Acondicionamiento de señales Balun, 1:2, 2-20GHz, 3mm PQFN
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Acondicionamiento de señales Power Divider, 2 Way, 2-20GHz, 3mm PQFN
MAPD-011062
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Acondicionamiento de señales Power Divider, 2 Way, 2-20GHz, 3mm PQFN
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Circuitos integrados de interruptores de RF Switch,SPDT,DC-67 GHz,2.25mm,Ref,500 pcs
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MASW-011151-TR0500
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Circuitos integrados de interruptores de RF Switch,SPDT,DC-67 GHz,2.25mm,Ref,500 pcs
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Circuitos integrados de interruptores de RF Switch, SPDT, DC-67 GHz, 3mm20, Absorptv
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MASW-011152-TR0500
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Circuitos integrados de interruptores de RF Switch, SPDT, DC-67 GHz, 3mm20, Absorptv
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10
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$ 4.614,50
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Amplificador de RF 10 W, 0.5 - 6 GHz MMIC Power Amplifier
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CMPA0560008S
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Amplificador de RF 10 W, 0.5 - 6 GHz MMIC Power Amplifier
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Amplificador de RF MMIC,BUFFER AMP,PKG,QFN 16L (3X3),T&R
XB1008-QT-0G0T
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Amplificador de RF MMIC,BUFFER AMP,PKG,QFN 16L (3X3),T&R
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10
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25
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100
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Presupuesto
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Detalles
Amplificador de RF 10-200MHz NF 2.0dB Gain 27.3dB
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A80-1
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Amplificador de RF 10-200MHz NF 2.0dB Gain 27.3dB
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Amplificador de RF 20-500MHz NF 2.9dB Gain 24.5dB
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N.º de artículo del Fabricante
A81-2
N.º de artículo de Mouser
937-A81-2
MACOM
Amplificador de RF 20-500MHz NF 2.9dB Gain 24.5dB
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