Memoria RAM magnetorresistiva

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (UYU) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Paquete / Cubierta
Tipo de interfaz
Tamaño de memoria
Organización
Ancho de bus de datos
Tiempo de acceso
Voltaje de alimentación - Mín.
Voltaje de alimentación - Máx.
Corriente de suministro operativa
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1.140
Mult.: 570

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H256 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1.140
Mult.: 570

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H256 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
: 4.000

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H256 Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1.140
Mult.: 570

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H256 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
: 4.000

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H256 Reel
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3V 512Kx8 Serial Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1.140
Mult.: 570

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3V 512Kx8 Serial Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
: 4.000

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR25H40 Reel